Олимпиады · Белорусская

Белорусская, 2008/09, заключительный этап, 11 класс, теоретический тур

3 задачи

зад 1 Оптико-механическая аналогия

Геометрическая оптика › ПреломлениеНеоднородная среда, принцип ФермаБаллистика: бросок под угломСпутники, космические скоростисложность 7/10
Рисунок

Оптико-механическая аналогия - это сходство траектории движения частицы в потенциальном силовом поле с траекторией лучей в оптически неоднородной среде. Траектория материальной точки и траектория светового луча совпадают при определенном соответствии потенциальной энергии и переменного в пространстве показателя преломления среды. Этот факт был теоретически открыт выдающимся ирландским математиком и физиком У. Р. Гамильтоном в 1834 году и уже в нашем столетии оказал влияние на установление связи между волновой оптикой и волновой (квантовой) механикой.

В данном задании вам предстоит рассмотреть два примера аналогия между оптикой и механикой.

Рисунок

1. Движение тела в поле тяжести.

Тело брошено с начальной скоростью \(v_0\) под углом \(\alpha_0\) к вертикали вдоль горизонтальной поверхности. Сопротивлением воздуха пренебрегаем.

1.1 Запишите закон движения тела, т.е. зависимость его координат времени \(x(t)\), \(y(t)\). Используйте систему координат, показанную на рисунке.

1.2 Запишите уравнение траектории движения тела \(y(x)\).

1.3 Определите дальность полета тела и максимальную высоту его подъема.

1.4 Покажите, что в любой точке траектории движения тела угол \(\alpha\), который образует касательная с вертикалью, удовлетворяет условию

Рисунок

\[f(y)\sin\alpha = f_0\sin\alpha_0\tag{1}\]

где \(f(y)\) - некоторая функция вертикальной координаты \(y\). Найдите эту функцию.

1.5 Предложите алгоритм построения траектории по произвольной известной зависимости угла \(\alpha(y)\) от вертикальной координаты \(y\).

2. Луч света в слоисто-неоднородной среде.

Рисунок

Показатель преломления прозрачного бруска больших размеров плавно изменяется с высотой по закону

\[n = n_0\sqrt{1-\gamma y}\tag{2}\]

где \(n_0, \gamma\) - известные постоянные величины. Луч света попадает на грань бруска в точке \(A\) и после преломления на ней образует угол \(\alpha\) с осью \(Oy\). Система координат показана на рисунке.

2.1 На какую максимальную глубину проникнет луч света в брусок?

2.2 На каком расстоянии от точки входа луч выйдет из бруска?

Рисунок

3. Круговая орбита.

Спутник движется с постоянной по модулю скоростью \(v_0\) по круговой орбите радиуса \(r_0\) вокруг планеты радиус, которой равен \(R\). Ускорение свободного падения на поверхности планеты равно \(g\).

3.1 Определите радиус орбиты спутника.

3.2 По неизвестной причине в некоторый момент времени направление

вектора скорости спутника изменилось на небольшой угол, при этом модуль скорости не изменился. При этом, очевидно, орбита стала эллиптической. Найдите зависимость модуля скорости спутника от его расстояния до центра планеты \(v(r)\).

Подсказка. Потенциальная энергия гравитационного взаимодействия двух точечных тел определяется по формуле

\[U = -G \frac{Mm}{r},\]

где \(M\), \(m\) - массы тел, \(r\) - расстояние между телами, \(G\) - гравитационная постоянная.

3.3 Найдите изменение модуля скорости спутника \(\Delta v\) при малом изменении его расстояния до центра планеты \(\Delta r\).

3.4 Покажите, что когда спутник находится на расстоянии \(r_0\) от центра планеты, выполняется соотношение

\[\frac{\Delta v}{\Delta r} = -\frac{v}{r}.\tag{3}\]

Рисунок

4. Луч света в осесимметричной неоднородной среде. Цилиндр изготовлен из прозрачного материала, но показатель преломления материала, из которого он изготовлен, медленно уменьшается с увеличением расстояния до его оси по закону

\[n(r) = n_0(1 - \gamma r),\tag{4}\]

где \(n_0\), \(\gamma\) - известные постоянные величины. На каком расстоянии от оси цилиндра надо произвести вспышку света, чтобы некоторые из световых лучей могли распространяться по окружности вокруг с центром на оси цилиндра?

▶ПодсказкаСкрыть
Подсказка

Горизонтальная проекция скорости при броске сохраняется, а модуль скорости зависит только от высоты. Тот же вид имеет закон преломления в среде, где показатель преломления зависит от одной координаты, — отсюда оптико-механическая аналогия: показателю преломления соответствует модуль скорости тела. Для кругового луча нужно, чтобы фронт волны поворачивался вместе с радиусом.

▶ОтветСкрыть
Ответ

1.1) \(x=v_0t\sin\alpha_0\), \(y=v_0t\cos\alpha_0-\dfrac{gt^2}{2}\); 1.2) \(y=x\operatorname{ctg}\alpha_0-\dfrac{g}{2v_0^2\sin^2\alpha_0}x^2\); 1.3) \(S=\dfrac{2v_0^2\sin\alpha_0\cos\alpha_0}{g}\), \(h_{\max}=\dfrac{v_0^2\cos^2\alpha_0}{2g}\); 1.4) \(f(y)=v_0\sqrt{1-\dfrac{2g}{v_0^2}y}\) (модуль скорости); 1.5) малыми отрезками длины \(l\): \(x_{k+1}=x_k+l\sin\alpha_k\), \(y_{k+1}=y_k+l\cos\alpha_k\), \(\alpha_k=\alpha(y_k)\); 2.1) \(h_{\max}=\dfrac{\cos^2\alpha}{\gamma}\); 2.2) \(S=\dfrac{4\sin\alpha\cos\alpha}{\gamma}\); 3.1) \(r_0=\dfrac{gR^2}{v_0^2}\); 3.2) \(v=v_0\sqrt{\dfrac{2gR^2}{v_0^2r}-1}\); 3.3) \(\Delta v=-\dfrac{v_0}{\sqrt{\frac{2gR^2}{v_0^2r}-1}}\,\dfrac{gR^2}{v_0^2r^2}\,\Delta r\); 3.4) при \(r=r_0\): \(\dfrac{\Delta v}{\Delta r}=-\dfrac{v_0}{r_0}\); 4) \(r=\dfrac{1}{2\gamma}\).

▶РешениеСкрыть
Решение
Рисунок

1. Движение тела в поле тяжести.

1.1 Решение данной части задачи хорошо известно. Так как ускорение направлено вдоль оси \(Oy\), то закон равноускоренного движения имеет вид

\[\begin{cases} x = v_0 t \sin \alpha_0 \\ y = v_0 t \cos \alpha_0 - \frac{g t^2}{2} \end{cases}\tag{1}\]

Рисунок

1.2 Уравнение траектории получим, исключив из закона движения время \(t\):

\[t = \frac{x}{v_0 \sin \alpha_0} \quad \Rightarrow \quad y = v_0 \cos \alpha_0 \frac{x}{v_0 \sin \alpha_0} - \frac{g}{2} \left( \frac{x}{v_0 \sin \alpha_0} \right)^2.\]

После упрощения получим функцию

\[y = x \operatorname{ctg} \alpha_0 - \frac{g}{2 v_0^2 \sin^2 \alpha_0} x^2,\tag{2}\]

описывающую параболическую траекторию движения.

1.3 Выражения для дальности полета и максимальной высоты подъема также хорошо известны:

\[S = \frac{2 v_0^2 \sin \alpha_0 \cos \alpha_0}{g}; \qquad h_{\text{max}} = \frac{v_0^2 \cos^2 \alpha_0}{2g}.\tag{3}\]

1.4 Можно заметить, что произведение модуля скорости на синус угла \(\alpha\) является проекцией скорости на горизонтальную ось \(Ox\): \(v \sin \alpha = v_x\), которая остается неизменной в процессе движения, так как нет внешних сил, изменяющих эту проекцию скорости.

Таким образом, искомой функцией \(f(y)\) может служить модуль скорости тела, который может быть найден из закона сохранения энергии

\[v = \sqrt{v_0^2 - 2gy} = v_0 \sqrt{1 - \frac{2g}{v_0^2} y}.\tag{4}\]

Таким образом, уравнение (1), приведенное в условии задачи, может быть записано в виде

\[\sqrt{1 - \frac{2g}{v_0^2} y} \sin \alpha = \sin \alpha_0\tag{5}\]

Рисунок

1.5 Основная идея заключается в разбиении траектории на малые участки, предпочтительнее постоянной длины \(l\). Допустим, мы нашли точку траектории с координатами \((x_k, y_k)\). По известной зависимости угла координаты \(y\), можно рассчитать угол, под которым будет направлен следующий малый участок траектории \(\alpha_k = \alpha(y_k)\). Координаты конца очередного отрезка рассчитываются по формулам

\[\begin{cases} x_{k+1} = x_k + l \sin \alpha_k \\ y_{k+1} = y_k + l \cos \alpha_k \end{cases}\tag{6}\]

При заданных начальных координатах эта процедура позволяет однозначно построить всю траекторию движения. Таким образом, зависимость \(\alpha(y)\) однозначно определяет траекторию движения.

Примечание. Можно показать, что задание функции* \(\alpha(y)\) позволяет записать дифференциальное уравнение, имеющее однозначное решение.

2. Луч света в слоисто-неоднородной среде.

Запишем закон преломления света в слоисто неоднородной среде

\[n(y) \sin \alpha = n_0 \sin \alpha_0,\]

И подставим выражение для зависимости показателя преломления от координаты \(y\)

\[n_0 \sqrt{1 - \gamma y} \sin \alpha = n_0 \sin \alpha_0.\tag{7}\]

Это уравнение полностью совпадает с уравнением (5), определяющим траекторию движения тела, брошенного под углом к горизонту.

Заметим, что в механике аналогом показателя преломления служит модуль скорости тела – неожиданный результат: там, где в оптике скорость луча возрастает, в механике должна убывать!

Для полного соответствия между уравнениями (5) и (7) следует положить

\[\gamma = \frac{2g}{v_0^2}.\tag{8}\]

Рисунок

Следовательно, траектория луча, описываемая уравнением (7), также является параболой, с параметрами, определяемыми формулами (3). Поэтому для решения данной части задачи достаточно переписать формулы (4) с соответствующей заменой (8)

\[\begin{aligned} S &= \frac{2v_0^2 \sin \alpha_0 \cos \alpha_0}{g} &\Rightarrow& \quad S = \frac{4 \sin \alpha_0 \cos \alpha_0}{\gamma} \\ h_{\text{max}} &= \frac{v_0^2 \cos^2 \alpha_0}{2g} &\Rightarrow& \quad h_{\text{max}} = \frac{\cos^2 \alpha_0}{\gamma} \end{aligned}\tag{9}\]

Примечание. Максимальную глубину проникновения света в брусок, можно найти из условия полного внутреннего отражения. На максимальной глубине проникновения* \(\sin \alpha = 1\), поэтому*

\[n _ { 0 } \sqrt { 1 - \gamma \, y } \sin \alpha = n _ { 0 } \sin \alpha _ { 0 } \quad \Rightarrow\]

\[\sqrt { 1 - \gamma h _ { \mathrm { m a x } } } = \sin \alpha _ { 0 } \quad \Rightarrow \quad h _ { \mathrm { m a x } } = \frac { 1 - \sin ^ { 2 } \alpha _ { 0 } } { \gamma } = \frac { \cos ^ { 2 } \alpha _ { 0 } } { \gamma } \, .\]

Найти подобным образом расстояние, на котором луч выйдет из бруска затруднительно.

3. Круговая орбита.

Рисунок

3.1 При движении по круговой орбите выполняется соотношение, следующее из второго закона Ньютона и закона всемирного тяготения:

\[\frac { m v _ { 0 } ^ { 2 } } { r _ { 0 } } = G \frac { M m } { r _ { 0 } ^ { 2 } } \, .\tag{10}\]

Массу планеты можно выразить из формулы для ускорения свободного падения на поверхности планеты

\[g = G { \frac { M } { R ^ { 2 } } } \, .\tag{11}\]

Из этих выражений определяем соотношение между скоростью спутника и радиусом его круговой орбиты

\[v _ { 0 } ^ { 2 } = { \frac { g R ^ { 2 } } { r _ { 0 } } } \, .\tag{12}\]

Откуда радиус орбиты

\[r _ { 0 } = { \frac { g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } } } \, .\tag{13}\]

3.2 Зависимость скорости спутника от его расстояния до центра можно выразить из закона сохранения энергии

\[\frac { m v _ { 0 } ^ { 2 } } { 2 } - G \frac { m M } { r _ { 0 } } = \frac { m v ^ { 2 } } { 2 } - G \frac { m M } { r _ { 0 } } \, .\tag{14}\]

С учетом соотношений (11) и (12), формула для скорости приобретает вид

\[\frac { v _ { 0 } ^ { 2 } } { 2 } - \frac { g R ^ { 2 } } { r _ { 0 } } = \frac { v ^ { 2 } } { 2 } - \frac { g R ^ { 2 } } { r _ { 0 } } \quad \Rightarrow \quad - \frac { v _ { 0 } ^ { 2 } } { 2 } = \frac { v ^ { 2 } } { 2 } - \frac { g R ^ { 2 } } { r _ { 0 } } \quad \Rightarrow\]

\[v = v _ { 0 } \sqrt { \frac { 2 g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } r } - 1 }\tag{15}\]

3.3 Искомое соотношение проще вычислить, с помощью производной

\[\Delta v = v _ { r } ^ { \prime } \Delta r = \frac { v _ { 0 } } { 2 \sqrt { \displaystyle { \frac { 2 g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } r } } - 1 } } \left( - \frac { 2 g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } r ^ { 2 } } \right) \Delta r = - \frac { v _ { 0 } } { \sqrt { \displaystyle { \frac { 2 g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } r } } - 1 } } \left( \frac { g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } r ^ { 2 } } \right) \Delta r \, .\tag{16}\]

3.4 Полагая \(r = r _ { 0 } = \frac { g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } }\), получим, что \(\frac { g R ^ { 2 } } { v _ { 0 } ^ { 2 } r } = 1\). В этом случае из формулы (16) следует

\[\frac { \Delta v } { \Delta r } = - \frac { v _ { 0 } } { r _ { 0 } } \, ,\tag{17}\]

что и требовалось доказать.

4. Луч света в осесимметричной неоднородной среде.

Проводя аналогию между оптикой и механикой (показатель преломления аналогичен скорости тела!), можно утверждать, что условием возможности существования кругового луча является условие

\[\frac{\Delta n}{\Delta r} = -\frac{n(r)}{r}.\tag{18}\]

Используя заданную зависимость показателя преломления от радиуса \(n(r) = n_0(1 - \gamma r)\), найдем

\[\frac{\Delta n}{\Delta r} = -n_0 \gamma.\]

Теперь из условия (18) определяем искомый радиус кругового луча

\[-n_0 \gamma = -\frac{n_0(1 - \gamma r)}{r} \quad \Rightarrow \quad r = \frac{1}{2\gamma}.\tag{19}\]

Рисунок

Примечание. Основное условия существования кругового луча (18) может быть получено и без использования оптико-механической аналогии. Фронт этого луча должен поворачиваться так, чтобы оставаться направленным радиально. Это возможно в том случае, если выполняется условие

\[\frac{v(r + \Delta r)}{r + \Delta r} = \frac{v(r)}{r}, \quad \text{или} \quad \frac{\Delta v}{\Delta r} = \frac{v(r)}{r}.\]

Учитывая, что в «оптике» \(v = \dfrac{c}{n}\) (из которого следует \(\dfrac{\Delta v}{\Delta r} = -\dfrac{c}{n^2} \dfrac{\Delta n}{\Delta r}\)), получим

\[\frac{\Delta v}{\Delta r} = \frac{v(r)}{r} \quad \Rightarrow \quad -\frac{c}{n^2} \frac{\Delta n}{\Delta r} = \frac{c}{nr} \quad \Rightarrow \quad \frac{\Delta n}{\Delta r} = -\frac{n}{r}.\]

Прочитали решение — спросите себя, как можно было до этого додуматься. А через день-два решите задачу заново, не подглядывая.

зад 2 Электрические качели

Электрические цепи › Колебательный контур и переменный токЭлектромагнитные колебания, колебательный контурПодвижные пластины, силы в конденсатореПараметрические колебаниясложность 7/10

В этой задаче мы предлагаем Вам рассмотреть колебания в \(LC\)-контуре с переменной емкостью. При непрерывном изменении емкости конденсатора, описание колебаний в контуре – очень большая проблема. Поэтому в данной задаче емкость будет изменяться только в определенные моменты времени и на определенную величину, что существенно облегчит изучение такой системы.

Рисунок

Колебательный контур состоит из конденсатора, емкость которого можно изменять, увеличивая или уменьшая расстояние между пластинами, и катушки с индуктивностью \(L\), сопротивлением которой можно пренебречь (рис. 1).

Рис.1

Часть первая. Толчок.

В начальный момент времени емкость конденсатора равна \(C_0\), а расстояние между пластинами равно \(d\). В контуре возбуждают колебания. В момент времен, когда напряжение на конденсаторе достигает максимального значения, расстояние между пластинами мгновенно увеличивают на некоторую малую величину \(\Delta x\). Обозначим относительное увеличение расстояния между пластинами \(\delta = \frac{\Delta x}{d}\).

1.1 Покажите, что при таком изменении расстояния емкость конденсатора уменьшается на ту же относительную величину, т.е. что \(\frac{\Delta C}{C} = -\delta\).

1.2 Определите относительное изменение напряжения на пластинах \(U\), полной энергии колебательного контура \(W\) и периода колебаний \(T\) при таком перемещении.

Если изменения некоторых двух величин (\(\Delta x\) и \(\Delta y\)) и их абсолютные значения (\(x\) и \(y\)) удовлетворяют уравнению \(\frac{\Delta y}{\Delta x} = k \frac{y}{x}\), то из этого можно сделать вывод, что \(y \sim x^k\).

1.3 Покажите, что отношение максимального напряжения на конденсаторе к полной энергии контура остается постоянным при увеличении расстояния между пластинами.

1.4 Покажите, что произведение квадрата периода колебаний на полную энергию также не изменяется в таком процессе.

Часть 2. Раскачка.

В этой части задачи расстояние между пластинами будем изменять неоднократно. По-прежнему будем увеличивать расстояние между пластинами на \(\Delta x\) (\(\delta = \frac{\Delta x}{d}\)) в моменты времени, когда напряжение на конденсаторе достигает максимального значения, но в моменты, когда напряжение на конденсаторе становится равным нулю, пластины снова сдвигают так, что расстояние между ними становится прежним.

2.1 Пусть \(\delta = 0{,}01\). Определите, сколько времени понадобится для увеличения полной энергии в контуре в 10 раз. Выразите это время в полных периодах колебаний \(T_0\).

2.2 Предположим, что индуктивность обладает небольшим сопротивлением \(R\). Оцените, каким должно быть значение \(\delta\), чтобы колебания в контуре не затухали.

Часть 3. Сбой по согласованию.

Предположим, что операция, производимая во второй части задачи, осуществляется с частотой немного меньшей, чем удвоенная частота колебаний контура, т.е. промежуток времени между двумя последовательными увеличениями (или уменьшениями) расстояния между пластинами \(\tau = \frac{T_0}{2} + \Delta t\). Причем \(\Delta t \ll T_0\). Качественно опишите зависимость максимального напряжения на конденсаторе от времени и определите промежуток времени между двумя последовательными максимумами напряжения. Сопротивление катушки равно нулю.

▶ПодсказкаСкрыть
Подсказка

Пластины раздвигают мгновенно, при максимальном напряжении (нулевом токе): заряд конденсатора не меняется, меняются только емкость, напряжение и энергия. Для малых относительных изменений используйте связь \(\Delta y/y=k\,\Delta x/x\) для степенных зависимостей.

▶ОтветСкрыть
Ответ

1.1) \(\dfrac{\Delta C}{C}=-\delta\); 1.2) \(\dfrac{\Delta U}{U}=\delta\), \(\dfrac{\Delta W}{W}=\delta\), \(\dfrac{\Delta T}{T}=-\dfrac{\delta}{2}\); 1.3) \(W/U=\text{const}\); 1.4) \(WT^2=\text{const}\); 2.1) \(n=\dfrac{\ln10}{\ln(1+\delta)}\approx231\) раздвиганий, время \(t\approx116\,T_0\); 2.2) \(\delta=\dfrac{T_0}{2RC_0}\); 3) промежуток между максимумами напряжения \(t=\dfrac{T_0^2}{4\,\Delta t}\).

▶РешениеСкрыть
Решение

Часть первая. Толчок.

Обозначим площадь пластин конденсатора буквой \(S\). Тогда его емкость:

\[C_0 = \frac{\varepsilon_0 S}{d} .\tag{1}\]

1.1 При увеличении расстояния между пластинами на величину \(\Delta x\), емкость конденсатора становится равной:

\[C_1 = \frac{\varepsilon_0 S}{d + \Delta x} .\tag{2}\]

Относительное изменении емкости:

\[\frac{\Delta C}{C_0} = \frac{C_1 - C_0}{C_0} = \frac{C_1}{C_0} - 1 = \frac{d}{d + \Delta x} - 1 = \frac{1}{1 + \frac{\Delta x}{d}} - 1 \approx -\frac{\Delta x}{d} = -\delta .\tag{3}\]

Причем это соотношение будет справедливо при любом \(d\).

1.2 Т.к. перемещение мгновенное, заряд на конденсаторе не изменяется, поэтому:

\[C_0 U_0 = C_1 U_1 ,\tag{4}\]

т.е.

\[U_1 = U_0 \frac{C_0}{C_1} .\tag{5}\]

Относительно изменение напряжения:

\[\frac{\Delta U}{U} = \frac{U_1 - U_0}{U_0} = \frac{C_0}{C_1} - 1 = \delta .\tag{6}\]

Выражения для энергий:

\[W_0 = \frac{Q^2}{2C_0}, \quad W_1 = \frac{Q^2}{2C_1} ,\tag{7}\]

где \(Q\) - заряд конденсатора.

Поэтому:

\[\frac{\Delta W}{W} = \frac{W_1 - W_0}{W_1} = 1 - \frac{W_0}{W_1} = 1 - \frac{C_1}{C_0} = \delta .\tag{8}\]

Периоды колебаний в контуре до и после перемещения равны соответственно:

\[T_0 = 2\pi \sqrt{LC_0}, \quad T_1 = 2\pi \sqrt{LC_1} .\tag{9}\]

Относительное изменение:

\[\frac{\Delta T}{T} = \frac{T_1 - T_0}{T_0} = \sqrt{\frac{C_1}{C_0}} - 1 = \sqrt{\frac{1}{1 + \delta}} - 1 \approx -\frac{1}{2}\delta .\tag{10}\]

1.3 Т.к. относительные изменения напряжения и энергии одинаковы (выражения (6) и (8)), то можно записать следующее равенство:

\[\frac{\Delta W}{\Delta U} = \frac{W}{U} ,\tag{11}\]

из которого следует, что энергия пропорциональна напряжению, а их отношение остается постоянным:

\[\frac{W}{U} = const .\tag{12}\]

1.4 Аналогично, используя выражения (8) и (10), получаем:

\[\frac{\Delta W}{\Delta T} = -2 \frac{W}{T} ,\tag{13}\]

т.е. \(W \sim T^{-2}\), следовательно:

\[W T^{2} = const\tag{14}\]

Часть 2. Раскачка.

2.1 При возвращении пластин на первоначальное расстояние, энергия конденсатора не изменяется, т.к. эта операция проводится при нулевом напряжении на пластинах конденсатора. Поэтому два раза за период колебаний энергия увеличивается в \((1+\delta)\) раз. Количество перемещений находит из условия:

\[(1+\delta)^{n} = 10\tag{15}\]

Получаем:

\[n = \log_{1+\delta} 10 = \frac{\ln 10}{\ln(1+\delta)} = 231{,}4 \approx 231\tag{16}\]

Т.к. увеличение энергии происходит дважды за период, то время необходимое для увеличения энергии в 10 раз:

\[t = \frac{n}{2} T_{0} \approx 116 T_{0}\tag{17}\]

2.2 Т.к. сопротивление небольшое, то на протяжении половины периода напряжение изменяется по синусоидальному закону. Тогда средняя мощность, выделяемая на сопротивлении:

\[\langle P \rangle = \frac{1}{2} \frac{U_{\text{max}}^{2}}{R}\tag{18}\]

Для поддержания колебаний необходимо, чтобы увеличение энергии за половину периода полностью компенсировало тепловые потери:

\[\frac{1}{2} \frac{U_{\text{max}}^{2}}{R} \frac{T_{0}}{2} = \delta W_{0} = \delta \frac{C_{0} U_{\text{max}}^{2}}{2}\tag{19}\]

Поэтому:

\[\delta = \frac{1}{2} \frac{T_{0}}{R C_{0}}\tag{20}\]

Часть 3. Сбой по согласованию. Предположим, что в начальный момент времени все происходит так, как было описано в предыдущих пунктах задачи. Затем, т.к. частоты не совпадают, увеличение расстояния между пластинами будет происходить не в моменты максимального напряжения на конденсаторе. Соответственно и энергия будет увеличиваться не так значительно. С другой стороны, при уменьшении расстояния между пластинами при ненулевом значении напряжения на конденсаторе, энергия будет уменьшаться. В целом, энергия будет увеличиваться до тех пор, пока значение напряжения на конденсаторе при увеличении расстояния между пластинами, будет больше такового при уменьшении расстояния. Затем энергия системы будет постепенно уменьшаться. Максимальная скорость уменьшения будет в том случае, когда увеличение расстояния между пластинами происходит при нулевом напряжении на них. Затем процесс пойдет в обратную сторону. Потери начнут уменьшаться, а прибыль – расти. Полное время таких изменений определим следующим образом. Обозначим за \(n\), количество полупериодов, необходимых для возникновения первоначальной ситуации. Тогда можно записать следующее условие:

\[n \Delta t = \frac{T_{0}}{2}\tag{21}\]

Тогда искомый промежуток времени равен:

\[t = \frac{T_{0}}{2} n = \frac{T_{0}^{2}}{4 \Delta t}\tag{22}\]

Прочитали решение — спросите себя, как можно было до этого додуматься. А через день-два решите задачу заново, не подглядывая.

зад 3 Полупроводник

Атомная, ядерная и квантовая физика › ФотоныФотоэффектЛокальный закон Ома, плотность токаОценки, размерность и подобиесложность 6/10

В данном задании вам предстоит теоретически описать электрическую проводимость чистого (без примесей) полупроводника и ее зависимость от температуры и освещенности. Рассматриваемые ниже явления находят широчайшее применение в современных электронных приборах, в частности терморезисторах и фоторезисторах. В качестве примера полупроводника используется кристаллический кремний (c-Si), модель его кристаллической решетки показана на рисунке. Для численных расчетов используются характеристики именно этого вещества. В задаче используются традиционные обозначения, принятые в физике полупроводников.

1.Введение – напоминание.

Рисунок

Для описания протекания электрического тока внутри вещества удобно пользоваться такой характеристикой, как плотность электрического тока \(\vec{j}\). Плотность тока определяется как количество электрического заряда, протекающего через площадку единичной площади, перпендикулярной направлению движения зарядов в единицу времени (или как сила электрического тока, протекающего через площадку единичной площади):

\[j = \frac{\Delta q}{\Delta S \cdot \Delta t} = \frac{\Delta I}{\Delta t}.\tag{1}\]

Плотность тока является векторной величиной, ее направление совпадает с направлением движения положительно заряженных частиц.

Рисунок

1.1 Пусть электрический ток равномерно протекает вдоль однородного цилиндра. Используя закон Ома для участка цепи, покажите, что плотность электрического тока внутри цилиндра рассчитывается по формуле

\[\vec{j} = \sigma \vec{E},\tag{2}\]

где \(\vec{E}\) - напряженность электрического поля внутри цилиндра, \(\sigma\) - удельная проводимость материала цилиндра (величина обратная удельному электрическому сопротивлению \(\sigma = \frac{1}{\rho}\)).

Рисунок

1.2 Пусть одинаковые частицы (заряд каждой равен \(q\)) движутся с одинаковыми скоростями \(\vec{v}\). Концентрация частиц в потоке равна \(n\). Чему равна плотность электрического тока в данном потоке частиц?

1.3 Покажите, что средняя скорость направленного движения электронов в металле при протекании постоянного электрического тока пропорциональна напряженности электрического поля в металле

\[\langle v \rangle = \mu E.\tag{3}\]

где коэффициент пропорциональности \(\mu\) называется подвижностью электронов. Выразите удельную проводимость металла через подвижность электронов и их концентрацию в металле.

2. Терморезистор.

Рисунок

Энергетические состояния электронов в кристалле состоят из нескольких зон. Верхняя заполненная зона называется валентной зоной, а следующая за ней зона возможных состояний – зоной проводимости. Между ними располагается запрещенная зона – электроны в кристалле не могут иметь такие значения энергии! Разность энергий между верхним краем валентной зоны и нижним краем зоны проводимости называется шириной запрещенной зоны и обозначается \(E_g\).

Электроны, находящиеся в валентной зоне, «привязаны» к своим атомам и не могут перемещаться по кристаллу, следовательно, не могут быть носителями электрического тока. Электроны, находящиеся в зоне проводимости являются свободными, поэтому служат носителями электрического тока.

В рассматриваемом кристаллическом кремнии при температуре абсолютного нуля все электроны находятся в валентной зоне, зона проводимости пуста, поэтому в этом состоянии полупроводник является изолятором. При повышении температуры вследствие теплового движения некоторые электроны могут переходить из валентной зоны в зону проводимости. В этом случае в зоне проводимости появляется свободный электрон, а в валентной зоне дырка. Скорость генерации \(G_T\) электронно-дырочных пар (число рождающихся в единице объема в единицу времени электронно-дырочных пар) в заданном полупроводнике зависит только от температуры.

Таким образом, носителями электрического тока в полупроводниках являются свободные электроны и дырки. Причем дырки можно рассматривать как частицы с положительным зарядом равным элементарному заряду. Концентрация свободных электронов в полупроводнике обозначается \(n_i\), концентрация дырок \(p_i\). Однако в чистом полупроводнике (таком, как рассматривается в данной задаче) концентрации электронов и дырок одинаковы, поэтому используйте единое обозначение для их концентрации \(n_i = p_i = n\). Возможен и процесс, обратный рождению электронно-дырочной пары – электрон может перейти из зоны проводимости в валентную зону, при этом пара электрон-дырка исчезает. Такой процесс называется рекомбинацией. Очевидно, что скорость рекомбинации \(R\) (число исчезающих в единице объема в единицу времени электронно-дырочных пар) пропорциональна произведению концентраций электронов и дырок.

При постоянной температуре полупроводника устанавливается динамическое равновесие – среднее число рождающихся электронно-дырочных пара становится равным числу пар, исчезающих вследствие рекомбинации: \(G_T = R\).

Концентрация свободных электронов в этом случае называется равновесной концентрацией, ее обозначим \(\overline{n}\). Равновесная концентрация свободных электронов зависит только от абсолютной температуры \(T\) и определяется формулой

\[\overline{n}(T) = A T^{3/2} \exp\left(-\frac{E_g}{kT}\right),\tag{4}\]

где \(k\) - постоянная Больцмана; \(A\) - постоянная для данного вещества величина; \(\exp(x) = e^x\) - экспоненциальная функция.

2.1 Используя физические характеристики кристаллического кремния, вычислите его удельную электрическую проводимость при комнатной температуре \(\sigma_0\).

2.2 При малом изменении температуры \(\Delta T\) можно считать, что проводимость кремния изменяется по линейному закону

\[\sigma = \sigma_0 (1 + \gamma \Delta T).\tag{5}\]

Рассчитайте температурный коэффициент проводимости \(\gamma\) для кристаллического кремния при комнатной температуре. Изменением подвижностей электронов и дырок при изменении температуры можно пренебречь.

3. Фоторезистор.

Рисунок

Электроны могут переходить в зону проводимости и при поглощении кванта света, в этом случае также образуется пара носителей тока «свободный электрон – дырка». Это явление называется внутренним фотоэффектом. На этом принципе работают полупроводниковые приборы для измерения интенсивности света (в том числе инфракрасного диапазона) – фоторезисторы.

Если энергия фотона превышает энергетическую ширину запрещенной зоны, то он может поглотиться, в некоторых случаях поглощения фотона образуется электронно-дырочная пара. Отношение числа рожденных пар к числу поглощенных фотонов называется квантовым выходом фотоэффекта (обозначим эту величину \(\eta\)).

Поглощение света характеризуется коэффициентом поглощения \(\alpha\). Величина \(\alpha \Delta x\) (при \(\alpha \Delta x \ll 1\)) равна отношению числа фотонов, поглощенных в тонком слое вещества толщиной \(\Delta x\), к числу фотонов падающих на этот слой.

Для кристаллического кремния зависимость коэффициента поглощения от частоты падающего света описывается приближенной формулой

\[\alpha(\nu) = B(h\nu - E_g)^2,\tag{6}\]

где \(h\nu\) - энергия фотона (в электрон-вольтах), \(B = 3{,}9 \cdot 10^3 \, \text{см}^{-1} \cdot \text{эВ}^{-2}\) - эмпирическая постоянная.

Рисунок

Фоторезистор представляет собой тонкий кристаллический кремниевый слой. К краям слоя подведены металлические токопроводящие контакты с внешними выводами. Пластинка полностью освещается светом, падающим на нее нормально сверху. Толщина полупроводникового слоя \(h\) достаточно мала, так что в рассматриваемом далее спектральном диапазоне выполняется условие \(\alpha h \ll 1\). Температуру пластинки с полупроводниковым слоем можно считать постоянной и равной комнатной.

3.1.1 Вычислите длину волны красной границы фотоэффекта \(\lambda_{\text{кр.}}\).

3.1.2 Для упрощения дальнейших расчетов выразите коэффициент поглощения кремния как функцию от величины \(\lambda / \lambda_{\text{кр.}}\) (где \(\lambda\) - длина волны падающего света): \(\alpha = F(\lambda / \lambda_{\text{кр.}})\).

3.1.3 Вычислите скорость генерации электронно-дырочных пар посредством фотоэффекта \(G_r\). Выразите данную величину через характеристики падающего света (длину волны \(\lambda\), интенсивность \(I_0\) - энергию, падающую в единицу времени на площадку единичной площади) и необходимые вам характеристики кремния, приведенные в справочной таблице.

3.2.1 Запишите уравнение, описывающее скорость изменения концентрации свободных электронов \(\frac{\Delta n}{\Delta t}\) в полупроводнике, освещаемом светом. Учтите, что электронно-дырочные пары появляются не только под действием теплового движения, но и вследствие фотоэффекта.

3.2.2 Пусть в результате кратковременного светового импульса концентрация свободных электронов превысила термодинамическую равновесную концентрацию \(\bar{n}\) на малую величину \(n_1\) (то есть \(n = \bar{n} + n_1\), причем \(\bar{n} \gg n_1\)). Покажите, что изменение этого отклонения \(\Delta n_1\) за малый промежуток времени \(\Delta t\) подчиняется уравнению

\[\Delta n_1 = -\frac{n_1}{\tau} \Delta t,\tag{7}\]

где \(\tau\) - некоторая постоянная, называемая временем жизни электронно-дырочной пары (ее численное значение для кристаллического кремния приведено в Справочной таблице).

3.2.3 Выразите скорость тепловой генерации \(G_T\) и скорость рекомбинации \(R\) через концентрацию носителей тока и известные параметры кремния, приведенные в Справочной таблице.

3.2.4 Пусть фоторезистор непрерывно освещается светом, в этом случае концентрация носителей достигает некоторого стационарного значения. Найдите отношение этой концентрации к равновесной концентрации \(\frac{n}{\overline{n}}\), как функцию длины волны (лучше \(\lambda/\lambda_{\text{кр.}}\)) и интенсивности падающего излучения \(I_0\).

3.3 Измерение интенсивности света. Фоторезистор подключают к источнику постоянного напряжения и измеряют силу тока через него. При отсутствии освещения сила тока в цепи равна \(i_0\) (темновой ток).

3.3.1 Найдите зависимость силы тока в цепи от характеристик падающего излучения (длины волны и интенсивности).

3.3.2 Постройте примерный график зависимости отношения силы тока в цепи к темновому току \(i/i_0\) от интенсивности падающего света (в диапазоне от нуля до \(0{,}1 \frac{\text{Вт}}{\text{см}^2}\)) с длиной волны \(\lambda = 0{,}90\lambda_{\text{кр.}}\).

3.3.3. Постройте примерный график зависимости \(i/i_0\) от длины волны падающего света в диапазоне от \(\lambda_1 = 0{,}8 \text{мкм}\) до \(\lambda_2 = 1{,}1 \text{мкм}\). Считайте, что интенсивность падающего излучения постоянна и равна \(I_0 = 1{,}0 \cdot 10^{-2} \frac{\text{Вт}}{\text{см}^2}\).

Справочная таблица.}

Комнатная температура\(T_0 = 300 \text{К}\)
Заряд электрона\(e = 1{,}60 \cdot 10^{-19} \text{Кл}\)
Скорость света в вакууме\(c = 3{,}00 \cdot 10^8 \text{м/с}\)
Постоянная Больцмана\(k = 1{,}38 \cdot 10^{-23} \text{Дж} \cdot \text{К}^{-1}\)
Постоянная Планка\(h = 6{,}63 \cdot 10^{-34} \text{Дж} \cdot \text{с}\)
Характеристики кристаллического кремния
Ширина запрещенной зоны\(E_g = 1{,}12 \text{эВ}\)
Равновесная концентрация свободных электронов при комнатной температуре\(\overline{n} = 1{,}0 \cdot 10^{10} \text{см}^{-3}\)
Подвижность свободных электронов\(\mu_n = 1{,}4 \cdot 10^3 \text{см}^2 \cdot \text{В}^{-1} \cdot \text{с}^{-1}\)
Подвижность дырок\(\mu_p = 0{,}45 \cdot 10^3 \text{см}^2 \cdot \text{В}^{-1} \cdot \text{с}^{-1}\)
Квантовый выход внутреннего фотоэффекта\(\eta = 0{,}10\)
Время жизни электронно-дырочной пары\(\tau = 3{,}0 \cdot 10^{-3} \text{с}\)
▶ПодсказкаСкрыть
Подсказка

Проводимость собственного полупроводника складывается из вклада электронов и дырок, а их равновесная концентрация зависит от температуры по экспоненте — температурный коэффициент удобно искать через производную логарифма концентрации. Для фоторезистора запишите баланс: тепловая генерация плюс световая минус рекомбинация, пропорциональная квадрату концентрации.

▶ОтветСкрыть
Ответ

1.1) \(\vec j=\sigma\vec E\); 1.2) \(j=qnv\); 1.3) \(\sigma=en\mu\); 2.1) \(\sigma_0=e\bar n(\mu_n+\mu_p)\approx3{,}0\cdot10^{-4}\text{ Ом}^{-1}\text{м}^{-1}\); 2.2) \(\gamma=\dfrac1T\Bigl(\dfrac32+\dfrac{E_g}{kT}\Bigr)\approx0{,}15\text{ К}^{-1}\); 3.1.1) \(\lambda_{\text{кр.}}=\dfrac{hc}{E_g}\approx1{,}0\) мкм; 3.1.2) \(\alpha=b\Bigl(\dfrac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda}-1\Bigr)^2\), \(b=BE_g^2\approx4{,}9\cdot10^5\text{ м}^{-1}\); 3.1.3) \(G_r=\dfrac{I_0\lambda}{hc}\alpha\eta\); 3.2.1) \(\dfrac{\Delta n}{\Delta t}=G_T+G_r-R\); 3.2.2) \(\dfrac{\Delta n_1}{\Delta t}=-2r\bar n\,n_1\), \(r=\dfrac{1}{2\bar n\tau}\); 3.2.3) \(G_T=\dfrac{\bar n}{2\tau}\), \(R=\dfrac{n^2}{2\bar n\tau}\); 3.2.4) \(\dfrac{n}{\bar n}=\sqrt{1+W\dfrac{I_0}{I_{00}}\dfrac{\lambda}{\lambda_{\text{кр.}}}\Bigl(\dfrac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda}-1\Bigr)^2}\), \(W\approx1{,}5\cdot10^9\); 3.3.1) \(\dfrac{i}{i_0}=\dfrac{n}{\bar n}\) (та же формула); 3.3.2) \(i/i_0\approx\sqrt{1{,}67\cdot10^7\,I_0/I_{00}}\propto\sqrt{I_0}\); 3.3.3) \(i/i_0=1\) при \(\lambda>\lambda_{\text{кр.}}\), при \(\lambda<\lambda_{\text{кр.}}\) зависимость близка к линейной.

▶РешениеСкрыть
Решение
Рисунок

1.1 По закону Ома для участка цепи сила тока равна

\[I = \frac{U}{R}.\tag{1}\]

Подставляя известные формулы: — сопротивления проводника \(R = \rho \frac{L}{S}\);

— связи напряжения и напряженности \(U = EL\); — связи силы и плотности тока \(I = jS\)

в уравнение (1), получим \(jS = \frac{EL}{\rho \frac{L}{S}}\), откуда следует, что \(j = \frac{1}{\rho} E = \sigma E\). Очевидно, что направление движения заряженных частиц совпадает с направлением вектора напряженности электрического поля, поэтому

\[\vec{j} = \sigma \vec{E}.\tag{2}\]

Рисунок

1.2 За время \(\Delta t\) площадку площадью \(\Delta S\), расположенную перпендикулярно векторам скоростей частиц, пересекут частицы, находящиеся от площадки на расстоянии \(v \Delta t\). Объем области, опирающейся на выделенную площадку, частицы в котором пересекут площадку равен \(\Delta V = v \Delta t \cdot \Delta S\), число частиц в нем \(N = n \Delta V = n v \Delta t \cdot \Delta S\), они переносят заряд \(\Delta Q = q N = q n v \Delta t \cdot \Delta S\). По определению плотности тока, получим

\[j = \frac{\Delta Q}{\Delta t \cdot \Delta S} = q n v.\tag{3}\]

1.3 Приравнивая выражения для плотности тока (2) и (3), получим

\[e n v = \sigma E.\tag{4}\]

Из этой формулы выразим среднюю скорость движения частиц \(v = \frac{\sigma}{e n} E\). Сравнивая это выражение с определением подвижности \(\langle v \rangle = \mu E\), находим, что проводимость металла находится по формуле

\[\sigma = e n \mu.\tag{5}\]

2.1 Для вычисления удельной проводимости полупроводника необходимо учесть, что ток обусловлен движением как свободных электронов, так и дырок. Не смотря на то, что электроны и дырки движутся в противоположных направлениях, электрические токи, обусловленные их движением, направлены в одну сторону (в сторону движения положительно заряженных дырок). С помощью формулы (5) находим

\[\sigma_0 = e (n_i \mu_n + p_i \mu_p) = e \bar{n} (\mu_n + \mu_p).\tag{6}\]

При подстановке численных значений из Таблицы справочных материалов их необходимо перевести в единицы системы СИ:

\[\sigma _ { 0 } = e \overline { { { n } } } \left( \mu _ { n } + \mu _ { p } \right) = 1 { , } 6 0 \cdot 1 0 ^ { - 1 9 } \, \textit { Кл } \cdot 1 { , } 0 \cdot 1 0 ^ { 1 6 } \, \textit { м } ^ { - 3 } \left( 1 { , } 4 \cdot 1 0 ^ { 3 } + 0 { , } 4 5 \cdot 1 0 ^ { 3 } \right) \cdot 1 0 ^ { - 4 } \, \frac { \textit { м } ^ { 2 } } { \textit { В } \cdot \textit { с } } \approx\tag{7}\]

\[\approx 3 { , } 0 \cdot 1 0 ^ { - 4 } \, O \textit { м } ^ { - 1 } \cdot \textit { м } ^ { - 1 }\]

2.2 Из приведенной в условии формулы

\[\sigma = \sigma _ { 0 } \left( 1 + \gamma \Delta T \right)\]

Следует, что температурный коэффициент равен

\[\gamma = \frac { 1 } { \sigma _ { 0 } } \frac { \Delta \sigma } { \Delta T } \; ,\]

При малых изменениях температуры отношение приращений следует заменить соответствующей производной\(^1\) \(\gamma = \frac { 1 } { \sigma _ { 0 } } \frac { \Delta \sigma } { \Delta T } = \frac { \sigma ^ { \prime } } { \sigma _ { 0 } }\).

При повышении температуры увеличивается концентрация носителей тока, что и приводит к увеличению проводимости. Так проводимость пропорциональна концентрации носителей, то

\[\frac { 1 } { \sigma _ { 0 } } \frac { \Delta \sigma } { \Delta T } = \frac { \sigma ^ { \prime } } { \sigma _ { 0 } } = \frac { 1 } { \overline { { { n } } } } \frac { \Delta \overline { { { n } } } } { \Delta T } = \frac { \overline { { { n } } } ^ { \prime } } { \overline { { { n } } } } \, .\tag{8}\]

Выражение для равновесной концентрации приведено в условии задачи. Указанное отношение проще вычислить с помощью известного математического приема (хотя можно пользоваться и простыми правилами вычисления производных):

\[\overline { { { n } } } = A T ^ { 3 / 2 } \exp \left( - \frac { E _ { g } } { k T } \right) \quad \Rightarrow \quad \ln \overline { { { n } } } = \ln A + \frac { 3 } { 2 } \ln T - \frac { E _ { g } } { k T } \quad \Rightarrow\]

\[\frac { \overline { { { n } } } ^ { \prime } } { \overline { { { n } } } } = \frac { 3 } { 2 } \frac { 1 } { T } + \frac { E _ { g } } { k T ^ { 2 } } = \frac { 1 } { T } \left( \frac { 3 } { 2 } + \frac { E _ { g } } { k T } \right)\tag{9}\]

При расчетах необходимо правильно перевести электрон-вольты в джоули с помощью соотношения \(E _ { g } \left[ \textit { Дж} \right] = e E _ { g } \left[ \textit { эВ} \right]\):

\[\gamma = \frac { 1 } { T } \left( \frac { 3 } { 2 } + \frac { E _ { g } } { k T } \right) = \frac { 1 } { 3 0 0 K } \left( \frac { 3 } { 2 } + \frac { 1 { , } 6 \cdot 1 0 ^ { - 1 9 } \cdot 1 { , } 1 2 } { 1 { , } 3 8 \cdot 1 0 ^ { - 2 3 } \cdot 3 0 0 } \right) \approx 0 { , } 1 5 \, K ^ { - 1 } \, .\tag{10}\]

3.1.1 Красной границе фотоэффекта соответствую фотоны, энергия которых равна ширине энергетической зоны

\[h \nu _ { \kappa p . } = E _ { g } \, .\tag{11}\]

Расчет длины волны не представляет труда:

\[\frac { h c } { \lambda _ { \kappa p . } } = E _ { g } \quad \Rightarrow \quad \lambda _ { \kappa p . } = \frac { h c } { E _ { g } } = \frac { 6 { , } 6 3 \cdot 1 0 ^ { - 3 4 } \, \textit { Дж} \cdot \textit { с } \cdot 3 { , } 0 \cdot 1 0 ^ { 8 } \, \frac { \textit { м} } { \textit { с} } } { 1 { , } 6 \cdot 1 0 ^ { - 1 9 } \, \textit { Кл} \cdot 1 { , } 1 2 \textit { эВ} } \approx 1 { , } 0 \cdot 1 0 ^ { - 6 } \, \textit { м} = 1 { , } 0 \, \textit { мкм}\tag{12}\]

3.1.2 Преобразуем выражение для коэффициента поглощения к виду, удобному для дальнейших расчетов:

—

\(^1\) Для тех, кто не знаком с производными: можно также воспользоваться приближенными формулами для расчета изменения функций.

\[\alpha = B \left( h \nu - E _ { g } \right) ^ { 2 } = B E _ { g } ^ { 2 } \left( \frac { h c } { E _ { g } \lambda } - 1 \right) ^ { 2 } = b \left( \frac { \lambda _ { \kappa p . } } { \lambda } - 1 \right) ^ { 2 } ,\tag{13}\]

Здесь \(b = B E _ { g } ^ { 2 } = 3 { , } 9 \cdot 1 0 ^ { 3 } \frac { c { \mathcal { M } } ^ { - 1 } } { { \ni } B ^ { 2 } } \left( 1 { , } 1 2 { \ni } B \right) ^ { 2 } = 4 { , } 9 \cdot 1 0 ^ { 5 } \, { \scriptscriptstyle M } ^ { - 1 }\) - постоянная величина; \(\lambda _ { \kappa p . } = 1 { , } 0 \, { \scriptscriptstyle M K M }\) - длина волны красной границы фотоэффекта.

3.1.3 В единицу времени на пластинку падает \(\frac { I _ { 0 } } { h \nu } S\) фотонов ( \(S\) - площадь поверхности), из них \(\frac { I _ { 0 } } { h \nu } S \cdot \alpha h\) поглощается, что приводит к появлению \(\frac { I _ { 0 } } { h \nu } S \cdot \alpha h \cdot \eta\) электронно-дырочных пар. Следовательно, в единице объема в единицу времени появляется \(G _ { r } = \frac { 1 } { V } \left( \frac { I _ { 0 } } { h \nu } S h \alpha \eta \right) = \frac { I _ { 0 } \lambda } { h c } \alpha \eta\) пар электронов (это есть скорость генерации).

3.2.1 Концентрация электронов в проводнике изменяется в ходе генерации и регенерации, поэтому уравнение изменения концентрации может быть записано в виде

\[\frac { \Delta n } { \Delta t } = G _ { T } + G _ { r } - R\tag{14}\]

3.2.2 При отсутствии освещения скорость изменения концентрации носителей тока можно представить в форме уравнения

\[\frac { \Delta n } { \Delta t } = G _ { T } - R \, ,\tag{15}\]

Представим концентрации носителей тока в виде \(n = \overline { { n } } + n _ { 1 }\). Скорость рекомбинации пропорциональна квадрату концентрации свободных электронов, поэтому запишем \(R = r n ^ { 2 } = r \left( \overline { { n } } + n _ { 1 } \right) ^ { 2 }\), где \(r\) - некоторый коэффициент пропорциональности. Теперь уравнение (11) принимает вид

\[\frac { \Delta \left( \overline { { n } } + n _ { 1 } \right) } { \Delta t } = G _ { T } - r \left( \overline { { n } } + n _ { 1 } \right) ^ { 2 } = G _ { T } - r \overline { { n } } ^ { 2 } - 2 r \overline { { n } } \cdot n _ { 1 } - r n _ { 1 } ^ { 2 } \, .\tag{16}\]

При \(\overline { { n } } > > n _ { 1 }\) можно пренебречь слагаемым пропорциональным \(n _ { 1 } ^ { 2 }\). Кроме того, равновесная концентрация носителей удовлетворяет условию \(G _ { T } = r \overline { { n } } ^ { 2 }\). Таким образом, уравнение (12) приобретает требуемый вид

\[\frac { \Delta n _ { 1 } } { \Delta t } = - 2 r \overline { { n } } \cdot n _ { 1 } \, .\tag{17}\]

Введенный коэффициент рекомбинации выражается через время жизни электронно-дырочной пары

\[2 r \overline { { n } } = \frac { 1 } { \tau } \quad \Rightarrow \quad r = \frac { 1 } { 2 \overline { { n } } \, \tau } \, .\tag{18}\]

Таким образом, скорость тепловой генерации выражается формулой

\[G _ { T } = r \overline { { n } } ^ { 2 } = \frac { 1 } { 2 \tau } \overline { { n } } \ ,\tag{19}\]

а скорость рекомбинации

\[R = r n ^ { 2 } = \frac { n ^ { 2 } } { 2 \overline { { n } } \, \tau } \ .\tag{20}\]

3.2.4 В стационарном режиме концентрация свободных электронов не изменяется, следовательно, в этом случае выполняется соотношение

\[G_T + G_r - R = 0.\tag{21}\]

Подставим в это уравнение полученные ранее выражения для скоростей потоков и коэффициента поглощения

\[\frac{1}{2\tau}\bar{n} + \frac{I_0\lambda}{hc}\alpha\eta - \frac{n^2}{2\bar{n}\tau} = 0.\]

Из этого уравнения получаем

\[\frac{n^2}{\bar{n}^2} = 1 + 2\frac{I_0\lambda}{hc\bar{n}}\alpha\eta\tau = 1 + 2\frac{I_0\lambda}{hc\bar{n}}\eta\tau b\left(\frac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda} - 1\right)^2.\]

Для упрощения расчетов перепишем данное выражение в виде

\[\begin{aligned} \frac{n^2}{\bar{n}^2} &= 1 + 2\frac{I_0\lambda}{hc\bar{n}}\eta\tau b\left(\frac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda} - 1\right)^2 = \\ &= 1 + 2\frac{I_{00}\lambda_{\text{кр.}}}{hc\bar{n}}\eta\tau b\frac{I_0}{I_{00}}\frac{\lambda}{\lambda_{\text{кр.}}}\left(\frac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda} - 1\right)^2 = 1 + W\frac{I_0}{I_{00}}\frac{\lambda}{\lambda_{\text{кр.}}}\left(\frac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda} - 1\right)^2 \end{aligned}\tag{22}\]

где в одном безразмерном коэффициенте объединились все параметры кремния

\[W = 2\frac{I_{00}\lambda_{\text{кр.}}}{hc\bar{n}}\eta\tau b = 2\frac{10^4\,\frac{\text{Вт}}{\text{м}^2} \cdot 1{,}0 \cdot 10^{-6}\,\text{м}}{6{,}63 \cdot 10^{-34}\,\text{Дж}\cdot\text{с} \cdot 3{,}0 \cdot 10^8\,\frac{\text{м}}{\text{с}} \cdot 1{,}0 \cdot 10^{16}\,\text{м}^{-3}} 0{,}1 \cdot 3{,}0 \cdot 10^{-3}\,\text{с} \cdot 4{,}9 \cdot 10^5\,\text{м}^{-1} =\]

\[= 1{,}5 \cdot 10^9\]

(здесь \(I_{00} = 1\,\frac{\text{Вт}}{\text{см}^2} = 10^4\,\frac{\text{Вт}}{\text{м}^2}\) - единица измерения интенсивности). Окончательно получаем искомую формулу

\[\frac{n}{\bar{n}} = \sqrt{1 + W\frac{I_0}{I_{00}}\frac{\lambda}{\lambda_{\text{кр.}}}\left(\frac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda} - 1\right)^2}.\tag{23}\]

3.3.1 Сила тока через фоторезистор при постоянном напряжении на нем пропорциональна проводимости фоторезистора, которая в свою очередь пропорциональна концентрации носителей тока. Следовательно, формула (19) также описывает изменение силы тока

\[\frac{i}{i_0} = \sqrt{1 + W\frac{I_0}{I_{00}}\frac{\lambda}{\lambda_{\text{кр.}}}\left(\frac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda} - 1\right)^2}.\tag{24}\]

3.3.2 Подставляя значение длины волны в выражение (20), вычислим значение коэффициента при интенсивности

\[W\frac{\lambda}{\lambda_{\text{кр.}}}\left(\frac{\lambda_{\text{кр.}}}{\lambda} - 1\right)^2 = 1{,}5 \cdot 10^9 \cdot 0{,}9 \cdot \left(\frac{1}{0{,}9} - 1\right)^2 \approx 1{,}67 \cdot 10^7.\]

Такое большое значение этого коэффициента позволяет пренебречь 1 под корнем, то есть сила тока пропорциональна корню квадратному из интенсивности падающего света. График этой зависимости показан на рисунке.

3.3.3 В данном случае требуется построить график функции

\[\frac { i } { i _ { 0 } } = \sqrt { 1 + 1 { , } 5 \cdot 1 0 ^ { 7 } \, \frac { \lambda } { \lambda _ { \kappa p . } } \left( \frac { \lambda _ { \kappa p . } } { \lambda } - 1 \right) ^ { 2 } } \ .\tag{25}\]

При построении следует учесть, что при \(\lambda > \lambda _ { \kappa p . }\) фотоэффект отсутствует, поэтому в этой

Рисунок

области \(i = i _ { 0 }\). При \(\lambda < \lambda _ { \kappa p . }\) искомая зависимость практически линейна (см. рисунок).

Прочитали решение — спросите себя, как можно было до этого додуматься. А через день-два решите задачу заново, не подглядывая.

Источник: Республиканская физическая олимпиада Беларуси, 2008/09, заключительный этап, 11 класс, теоретический тур — условия · решения. Задачи перенабраны на botay.pro, решения — по официальным.